دیده بان علم ایران

پنج شنبه، ۱۸ آذر، ۱۳۹۵ | Thursday, 8 December , 2016

راهبرد جدید برای تولید قطعات الکترونیکی بسیار کوچک

کد خبر: 9952 نسخه قابل پرینت
۰۸ آبان ۱۳۹۵ | ۰۸:۱۹
راهبرد جدید برای تولید قطعات الکترونیکی بسیار کوچک

محققان دانشگاه ویسکانسین مدیسون موفق به ارائه روشی برای تولید قطعات الکترونیکی با ابعاد بسیار کوچک شدند.

 به گزارش دیده بان علم ایران یکی از سؤالاتی که تولیدکنندگان تراشه مطرح می‌کنند، این است که چه میزان می‌توان ترانزیستورهای روی یک مدار را کوچک‌سازی کرد. تاکنون براساس قانون مور، تعداد ترانزیستورهای روی هر تراشه، هر ۱۸ ماه دو برابر شده‌است. هر چند طی سال‌های اخیر به دلیل وجود محدودیت فیزیکی، این سرعت تا حدی کاهش یافته است. منشاء این محدودیت، اثرات تونل‌زنی کوانتومی است.

اخیراً یک تیم تحقیقاتی موفق به ارائه راهبردی برای تولید ترانزیستور شده‌است که با استفاده از آن می‌توان با سرعت بالا و هزینه کم، ترانزیستورهای زیادی را روی یک تراشه ایجاد کرد.
این گروه از روش خودآرایی مستقیم (DSA) استفاده کردند که در آن از بلوک‌ کوپلیمر برای خودآرایی استفاده می‌شود. ایده اصلی این است که شما با استفاده از لیتوگرافی، الگوی مورد نظر را ایجاد کرده و سپس با استفاده از کوپلیمر، سطح پوشش داده می‌شود. گرما موجب می‌شود تا کوپلیمر خودآرایی داده و الگوهای منظمی را ایجاد کند که قدرت تفکیک بالایی دارند.
محققان این پروژه از ویفر ژرمانیوم، اچ‌کردن پلاسما و لیتوگرافی پرتو الکترونی استفاده کردند تا در نهایت یک لایه نازک از گرافن را ایجاد کنند. سپس با روش پوشش‌دهی اسپینی، پلیمر PS-b-PMMA را روی سطح قرار دادند.
با گرم کردن ویفر در دمای ۲۵۰ درجه سانتیگراد، پلیمر به‌صورت کامل روی سطح در مدت ۱۰ دقیقه خودآرایی می‌دهد، در حالی که در روش‌های معمول این کار ۳۰ دقیقه به طول می‌انجامد. این راهبرد جدید، نقص‌های کمتری به دنبال داشته و قدرت تفکیک آن ۱۰ برابر بیشتر از روش‌های معمول است.
پاول نلی از محققان این پروژه می‌گوید: «این الگو می‌تواند جایگزین مناسبی برای روش‌های الگودهی رایج با پلیمر باشد. سینتیک این خودآرایی سریع‌تر بوده و الگوهای تیزتری ایجاد می‌کند.»
این روش می‌تواند برای تولید تراشه‌های کامپیوتر استفاده شود. ژنکیانگ ما، از محققان این پروژه می‌گوید: «با استفاده از الگوی گرافن می‌توان کارهایی انجام داد که پیش از این امکان‌پذیر نبوده است. از این الگو برای خودآرایی پلیمر می‌توان استفاده کرد.»
نتایج این پروژه در نشریه Scientific Reports منتشر شده‌است.
انتهای پیام
index

نظر بدهید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

خواهشمند است جهت تسهیل ارتباط خود با دیده‌بان علمی ایران، در هنگام ارسال پیام نکات ذیل را در نظر داشته باشید:
۱. از توهین به افراد، قومیت‌ها و نژاد‌ها خودداری کرده و از تمسخر دیگران بپرهیزید و از اتهام‌زنی به دیگران خودداری نمائید.
۲.از آنجا که پیام‌ها با نام شما منتشر خواهد شد، بهتر است با ارسال نام واقعی و ایمیل خود «دیده‌بان علمی ایران» را در شکل دهی بهتر بحث یاری نمایید.
۳. از به کار بردن نام افراد (حقیقی یا حقوقی)، سازمان‌ها، نهادهای عمومی و خصوصی خودداری فرمائید.
۴. از ارسال پیام های تکراری که دیگر مخاطبان آن را ارسال کرده اند خودداری نمائید.
۵. حتی الامکان از ارسال مطالب با زبانی غیر از فارسی خودداری نمائید.
آخرین مطالب
تمامی حقوق این سایت متعلق به «دیده‌بان علمی ایران» است
Copyright © 2016
Designed By Aryan