پنج شنبه، ۶ اردیبهشت، ۱۴۰۳ | Thursday, 25 April , 2024

ساخت ریزترین نانوترانزیستور جهان به رهبری دانشمند ایرانی

نسخه قابل پرینت
کد خبر:9098
شنبه، ۱۷ مهر، ۱۳۹۵ | 12:19

ساخت ریزترین نانوترانزیستور جهان به رهبری دانشمند ایرانی

تیمی از محققان آزمایشگاه ملی برکلی در آمریکا به سرپرستی دکتر علی جاوه ای  با استفاده از مواد جدید موفق به ساخت ریزترین ترانزیستور دنیا با گیت نانولوله کربنی یک نانومتری شدند.

به گزارش دیده‌بان علم ایران، برای بیش از یک دهه دانشمندان با خط پایانی در مسابقه کوچک سازی اندازه قطعات در مدارات مجتمع (آی سی) روبرو بودند  . آنها براساس قوانین فیزیک حد نهایی اندازه گیت ترانزیستورها را براساس  نیمه رسانه های متعارف ۵ نانومتر یعنی یک چهارم اندازه گیت ۲۰ نانومتری ترانزیستورهای موجود در بازار می دانستند اما تجربه نشان داده که برخی قوانین برای شکسته شدن یا حداقل به چالش کشیده شدن وضع شده اند!.

با چنین دیدگاهی است که علی جاوه ای و همکارانش در آزمایشگاه ملی انرژی لارنس برکلی ترانزیستوری با گیت ۱ نانومتری ساخته اند که ضخامت آن ۵۰ هزار بار کمتر از ضخامت یک تار موی انسان است.

جاوه ای می گوید ما کوچکترین ترانزیستور گزارش شده تاکنون را ساخته ایم. طول گیت یک بعد از تعریف ترانزیستوراست. ما ترانزیستوری با گیت ۱ نانومتر ساخته ایم که نشان می دهد با انتخاب مواد مناسب کوچک سازی هر چه بیشتر قطعات الکترونیکی امکان پذیر است.

کلید این موفقیت استفاده از نانولوله های کربنی و دی سولفید  مولیبدین – یک ترکیب روان کننده موتور که در بیشتر فروشگاه های لوازم یدکی خودرو – فروخته می شود، است.

دی سولفید  مولیبدین از خانواده موادی با پتانسیل بالا برای کاربرد در ال ای دی ها، لیزرها، ترانزیستورهای نانومقیاس، سلول‌های خورشیدی و … است.

انتهای پیام

مطالب مرتبط
نظر دهید

* نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند

سرخط خبرها