دوشنبه، ۲۷ آذر، ۱۳۹۶ | Monday, 18 December , 2017

جهشی بزرگ در نانوفناوری: نخستین موفقیت نانولوله‌های کربنی در برابر ترانزیستورهای سیلیکونی

کد خبر: 7031 نسخه قابل پرینت
۱۵ شهریور ۱۳۹۵ | ۱۱:۴۱
جهشی بزرگ در نانوفناوری: نخستین موفقیت نانولوله‌های کربنی در برابر ترانزیستورهای سیلیکونی

محققان دانشگاه ویسکانسین‌مدیسون برای نخستین بار موفق به تولید ترانزیستورهای نانولوله کربنی شده‌اند که کارآیی بالاتری از انواع ساخته شده از سیلیکون و آرسنیدگالیم دارند. این مواد در حال حاضر در اکثر دستگاههای الکترونیک شخصی و تراشه‌ها استفاده می‌شوند.
به گزارش دیده‌بان علم ایران محققان سال‌هاست که به دنبال مهار ویژگی‌های نانولوله‌های کربنی برای تولید لوازم الکترونیکی با کارایی بالا و کم مصرف هستند که در صورت موفقیت می‌تواند به ارتباطات بی‌سیم سریعتر، عمر بیشتر باتری و سرعت پردازش بالاتر برای دستگاهها منجر شود.
اما چالش موجود در تولید این ترازیستورها، وجود ناخالصی‌هایی است که عملکرد آن‌ها را با مشکل روبرو می‌کند.
دستاورد جدید محققان شامل استفاده از نانولوله‌های کربنی است که دارای ویژگی‌های خارق‌العاده نیمه رسانای الکتریکی هستند.
آن‌ها در مقاله‌ای که در مجله Science Advances منتشر شده، روش‌های مختلفی را برای حذف ناخالصی‌ها و جلوگیری از تداخل آن‌ها با قابلیت‌های نیمه رسانای نانولوله‌های کربن خالص ارائه کرده‌اند.

محققان دریافتند که با حذف نانولوله‌های آلوده می‌توان ترانزیستوری تولید کرد که چگالی بار آن ۱٫۹ بار بزرگتر از انواع سیلیکونی است.
این ترانزیستور جدید یک جهش بزرگ در حوزه نانوفناوری محسوب می‌شود.
انتهای پیام

نظر بدهید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

آخرین مطالب
تمامی حقوق این سایت متعلق به «دیده‌بان علمی ایران» است
Copyright © 2016
Designed By Aryan