چهارشنبه، ۲۵ مهر، ۱۳۹۷ | Wednesday, 17 October , 2018

توسط یک پژوهشگر کشور صورت گرفت: تأیید دقت بالای نظریه تابعی چگالی برای تعیین خواص اپتوالکترونیکی نانو لایه‌ها

نسخه قابل پرینت کد خبر:41532
۰۳ مهر ۱۳۹۷ | ۱۲:۴۶
توسط یک پژوهشگر کشور صورت گرفت: تأیید دقت بالای نظریه تابعی چگالی برای تعیین خواص اپتوالکترونیکی نانو لایه‌ها
عضو هیئت علمی دانشگاه حکیم سبزواری در طول ۴ سال پژوهش متوالی موفق به اثبات دقت بالای نظریه تابعی چگالی برای تعیین خواص اپتوالکترونیکی نانو لایه‌ها شد.
به گزارش دیده بان علم ایران طی انجام پژوهش های سنگین در حوزه های تجربی (Experimentalٍ) و نظری(Theoretical) در طول ۴ سال گذشته در گروه فیزیک حالت جامد در دو حوزه تجربی و نظری در خصوص تعیین خواص اپتوالکترونیکی نانو لایه ها، این دو بخش مهم از پژوهش(تجربی و نظری)، یکدیگر را تایید کردند و مقاله حاصل از این پژوهش در مجله Optik به چاپ رسید.
در بخش نظری این پژوهش، خواص اپتوالکترونیکی نانو لایه ها به کمک نظریه تابعی چگالی و با تقریب mBJ و با نرم افزار Wien2k، شبیه سازی شدند ودر بخش تجربی این پژوهش نانولایه ترکیبات اکسید ایندیم و اثر افزودنی لانتانیم بر آن به کمک دستگاه اسپری پایرولیز واقع در آزمایشگاه پیشرفته حالت جامد واقع در دانشگاه حکیم سبزواری ساخته شدند.
تمام مراحل ساخت نمونه و آزمایشات به طور تجربی و همچنین شبیه سازی این نمونه‌ها به طور نظری در دانشگاه حکیم سبزواری توسط دکترحسین اصغر رهنما عضو هیئت علمی و دانشیارگروه فیزیک حالت جامد انجام شده است.
همچنین مقاله چاپ شده آن با عنوان: Theoretical and experimental studies of La- substituted In2O3 nano- layer via the modified Becke Johnson  (mBJ) potential در مجله Optik به چاپ رسیده است.
انتهای پیام
به اشتراک بگذارید :

نظر بدهید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *